隨著科技浪潮的不斷推進，芯片技術(shù)已成為驅(qū)動各行各業(yè)革新的核心引擎。作為國內(nèi)高端模擬信號鏈芯片和低功耗SoC領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，某企業(yè)始終致力于前沿科技的研發(fā)和創(chuàng)新，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于多個關(guān)鍵領(lǐng)域。隨著業(yè)務(wù)擴張和技術(shù)的迭代升級，對于產(chǎn)品質(zhì)量的要求日益嚴苛，先進的測試設(shè)備成為了支撐其研發(fā)工作的關(guān)鍵要素。

為此，該企業(yè)決定引進DHT^?（多禾試驗）的恒溫恒濕試驗箱，用于以下一系列關(guān)鍵實驗：

1. 芯片溫濕度應(yīng)力測試

• 實驗?zāi)康?/span>：驗證芯片在不同溫濕度條件下的工作穩(wěn)定性，以確保產(chǎn)品在極端環(huán)境中的可靠性。

• 實驗流程：

• 將芯片樣品放置在恒溫恒濕試驗箱內(nèi)；

• 設(shè)置試驗箱溫度范圍為-40℃至85℃，濕度范圍為20%至98%；

• 執(zhí)行以下溫濕度循環(huán)測試：

• 低溫高濕階段：溫度設(shè)定為-40℃，濕度為98%，持續(xù)8小時；

• 高溫低濕階段：溫度升至85℃，濕度降至20%，持續(xù)8小時；

• 恢復(fù)階段：將溫度調(diào)回室溫（約25℃），濕度設(shè)定為50%，持續(xù)8小時；

• 上述循環(huán)重復(fù)執(zhí)行，持續(xù)時間為每循環(huán)24小時，進行多個循環(huán)直至測試完成。

• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 2423.4-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗      第2部分：試驗方法 試驗Db：交變濕熱（12h＋12h循環(huán)）

2. 芯片老化測試

• 實驗?zāi)康?/span>：通過加速老化模擬長期使用環(huán)境，評估芯片的使用壽命和長期穩(wěn)定性。

• 實驗流程：

• 選擇一批樣品芯片，并進行初步電性能測試；

• 將樣品放入恒溫恒濕試驗箱中，設(shè)置溫度為125℃，濕度為85%，持續(xù)測試1000小時；

• 在測試過程中定期取樣，檢測芯片性能變化，記錄各項數(shù)據(jù)。

• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)： GB/T 2423.3-2016 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗      第2部分：試驗方法 試驗Cab：恒定濕熱試驗方法

3. 芯片封裝濕氣敏感性測試

• 實驗?zāi)康?/span>：評估芯片封裝在不同濕度條件下的濕氣敏感性，以減少產(chǎn)品因濕氣引起的失效風(fēng)險。

• 實驗流程：

• 挑選一組芯片封裝樣品，并在進行預(yù)處理后，置于恒溫恒濕試驗箱內(nèi)；

• 調(diào)節(jié)試驗箱的濕度為85，溫度為60℃；

• 在上述條件下持續(xù)暴露168小時，然后將樣品取出，進行焊接應(yīng)力測試。

• 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：IPC/JEDEC J-STD-020E 電子元器件濕氣敏感度等級（MSL）測試及分類

通過這些關(guān)鍵實驗，該公司能夠全面評估芯片在極端環(huán)境下的性能表現(xiàn)，并確保產(chǎn)品的長期穩(wěn)定性和可靠性。這將進一步提升產(chǎn)品的質(zhì)量和市場競爭力，在未來的激烈市場競爭和技術(shù)挑戰(zhàn)面前，該公司將持續(xù)依靠DHT?（多禾試驗）提供的先進技術(shù)，不斷創(chuàng)新突破，引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展，為全球客戶提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。